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科研院所专用雪崩耐量测试系统

  • 采购类型:现货/标准
  • 询价日期:2018-10-17
  • 联系方式: 报价后可见
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    系统概述:

          半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件,其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流,满足一定的雪崩耐量。
          雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量。但是,一些电源在输 出短路时,初级中会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些 电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。 
          该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机经过处理后,将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行最终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求,并预留电压电流扩展功能。

    功能指标:

    配置

    测试范围

    测试参数

    条件

    范围

    电压
    1000V

    IGBTs
    绝缘栅双极型晶体管

    EAS/单脉冲雪崩能量

    VCE

    20V~4500V

    20~100V±3%±1V
    100~1000V±3%±5V 
    1000V~4500V±3%±10V

    电流
    200A

    MOSFETs
    MOS场效应管

    EAR/重复脉冲雪崩能量

    Ic

    1mA~200A

    1mA~100mA±3%±0.1mA
    100mA~2A±3%±5mA 
    2A~200A±3%±50mA


    DIODEs
    二极管

    IAS/单脉冲雪崩电流

    Ea

    1J~2000J

    1J~100J±3%±1J
    100J~500J±3%±5J 
    500J~2000J±3%±10J



    PAS/单脉冲雪崩功率

    IC检测

    50mV/A(取决于传感器)




    感性负载

    10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、




    重复间隙时间

    1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次



    来自 西安 的采购商

    公司详情

    • 地址:陕西 陕西 西安
    • 联系人:王先生 女士
    • 主营行业:电子电工检测仪器
    • 注册资本:人民币 700 万元 - 1000 万元
    • 创建时间:2015-12-21

    联系方式

    免责声明
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